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晶圓拋光機(jī)廠家
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晶圓減薄機(jī)的工作原理是什么

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發(fā)布時(shí)間 : 2024-09-18 10:25:31

      晶圓減薄機(jī)的工作原理主要依賴于磨料磨削技術(shù),通過去除晶圓表面的一層材料來實(shí)現(xiàn)減薄。以下是晶圓減薄機(jī)工作原理的詳細(xì)解釋:

硅片減薄前后對比.jpg

      一、晶圓減薄機(jī)主要組成部分

      晶圓減薄機(jī)主要包括以下幾個(gè)關(guān)鍵組成部分:

      機(jī)床:作為晶圓減薄機(jī)的主要結(jié)構(gòu)支撐,機(jī)床由底板、立柱、橫梁、主軸、進(jìn)給軸等部分組成,為整個(gè)磨削過程提供穩(wěn)定的工作環(huán)境。

      磨削頭:磨削頭是晶圓減薄機(jī)的核心部分,由磨盤和磨軸組成。磨盤負(fù)責(zé)承載磨料和磨削液,并通過旋轉(zhuǎn)與晶圓表面接觸,進(jìn)行磨削作業(yè)。磨軸則控制磨盤的旋轉(zhuǎn)速度,確保磨削過程的穩(wěn)定性和效率。

進(jìn)給軸:進(jìn)給軸負(fù)責(zé)將待磨削的晶圓精確地送到磨盤下方,進(jìn)行磨削。進(jìn)給軸通常由減速器、電機(jī)、轉(zhuǎn)子和傳感器等組成,能夠精確控制晶圓的進(jìn)給速度和行程,以滿足不同的加工需求。

減薄機(jī)工作臺(tái).jpg

      工作臺(tái):工作臺(tái)是晶圓減薄機(jī)中用于夾持和定位晶圓的部件。它通常由薄膜夾持裝置和定位裝置組成,能夠確保晶圓在磨削過程中保持穩(wěn)定的位置和姿態(tài)。

      磨削液系統(tǒng):磨削液系統(tǒng)在磨削過程中起到冷卻、潤滑和清洗的作用。通過向磨削區(qū)域噴灑磨削液,可以有效降低磨削溫度、減少摩擦和磨損,并清除磨削過程中產(chǎn)生的碎屑和雜質(zhì)。

控制系統(tǒng):控制系統(tǒng)是整個(gè)晶圓減薄機(jī)的“大腦”,負(fù)責(zé)監(jiān)控和調(diào)節(jié)各個(gè)部件的運(yùn)行狀態(tài)。通過預(yù)設(shè)的加工參數(shù)和程序,控制系統(tǒng)能夠精確控制磨削過程,確保加工質(zhì)量和效率。

      二、晶圓減薄機(jī)工作流程

      晶圓減薄機(jī)的工作流程大致如下:

      晶圓夾持:首先,將待磨削的晶圓夾持在工作臺(tái)上,并通過定位裝置確保晶圓的位置和姿態(tài)準(zhǔn)確無誤。

      磨削準(zhǔn)備:啟動(dòng)磨削液系統(tǒng),向磨削區(qū)域噴灑磨削液。同時(shí),調(diào)整磨削頭的旋轉(zhuǎn)速度和進(jìn)給軸的進(jìn)給速度等參數(shù),為磨削過程做好準(zhǔn)備。

      磨削作業(yè):在控制系統(tǒng)的精確控制下,磨削頭開始旋轉(zhuǎn)并與晶圓表面接觸。隨著進(jìn)給軸的逐漸進(jìn)給,晶圓表面的一層材料被磨料逐漸去除,從而實(shí)現(xiàn)減薄的目的。

      磨削監(jiān)測:在磨削過程中,控制系統(tǒng)會(huì)實(shí)時(shí)監(jiān)測加工狀態(tài),包括磨削溫度、磨削力等參數(shù)。一旦發(fā)現(xiàn)異常情況,如溫度過高或磨削力過大等,系統(tǒng)會(huì)立即采取措施進(jìn)行調(diào)整或停機(jī)保護(hù)。

晶圓減薄機(jī).jpg

      加工完成:當(dāng)晶圓達(dá)到預(yù)定的厚度后,磨削過程結(jié)束。此時(shí),控制系統(tǒng)會(huì)停止磨削頭的旋轉(zhuǎn)和進(jìn)給軸的進(jìn)給,并將晶圓從工作臺(tái)上取下進(jìn)行后續(xù)處理。

      三、晶圓減薄機(jī)磨削過程階段

      晶圓減薄機(jī)的磨削過程通常分為粗磨、精磨和拋光三個(gè)階段:

      粗磨:在粗磨階段,磨盤的磨削量較大(通常為50~150μm),目的是迅速去除晶圓表面的大部分多余材料。此時(shí)磨盤和晶圓之間形成的磨削區(qū)域相對較大,可以有效減少磨削區(qū)域的溫度升高,避免對晶圓產(chǎn)生損害。

      精磨:在精磨階段,磨盤的磨削量逐漸減?。ㄒ话銥閹孜⒚字潦畮孜⒚祝康氖沁M(jìn)一步去除晶圓表面的殘余材料并改善其表面粗糙度。此時(shí)通常采用粒度更細(xì)的磨料和更低的進(jìn)給速度進(jìn)行磨削。

拋光:拋光是晶圓減薄的最后一道工序。在拋光階段,通過液體電解拋光或物理拋光的方法進(jìn)一步平整晶圓表面并提高其光潔度。拋光過程中磨盤的磨削量非常小(一般為幾納米),可以確保晶圓表面達(dá)到極高的平整度和光潔度要求。

       綜上所述,晶圓減薄機(jī)通過精確控制磨削頭的旋轉(zhuǎn)速度、進(jìn)給軸的進(jìn)給速度以及磨削液的噴灑量等參數(shù),實(shí)現(xiàn)了對晶圓表面材料的精確去除和減薄處理。這一技術(shù)在半導(dǎo)體制造工藝中具有重要的應(yīng)用價(jià)值,可以顯著提高晶圓的性能和效率。


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